Ученые из Кореи разработали устройство памяти с низким энергопотреблением

Ученые из Кореи под руководством профессора Шинхюна Чхи из Школы электротехники КАИСТ разработали новое устройство памяти на основе фазового перехода, обладающее ультранизким энергопотреблением. Это устройство, описанное в журнале Nature, может заменить DRAM и NAND память, обладая при этом низкой стоимостью и экстремально низким энергопотреблением.